Bước đột phá trong công nghệ Bottleneck-SSiC ID1mm

Đặc điểm vật liệu:

Do trọng lượng riêng của silicon carbide là 3,1 g/cm3 và nhiệt độ ngâm tương đối cao (khoảng 2700 °C),nó rất phù hợp như là nguyên liệu thô cho vòng bi hoặc lò nhiệt độ caoDưới bất kỳ áp suất nào có thể đạt được, nó không tan chảy, và nó có hoạt động hóa học tương đối thấp.và mật độ dòng điện cao nhất, một số người đã cố gắng sử dụng nó như một sự thay thế cho silicon, đặc biệt là trong ứng dụng các thiết bị bán dẫn công suất cao.silicon carbide có hiệu ứng kết nối mạnh với bức xạ vi sóng, và do điểm ngâm cao, nó có thể được áp dụng cho kim loại sưởi ấm.

Bước đột phá trong công nghệ

Tuy nhiên, để gia công một lỗ bên trong có đường kính 1mm(+0.02,-0), và độ thô Ra0.2-0.8 trên một vật liệu như vậy, kỹ thuật viên của chúng tôi đã thử nhiều cách, mất đến nửa năm, và cuối cùng đã thành công trong việc làm cho nó. trên một vật liệu như vậy,Kỹ thuật viên của chúng tôi đã thử nhiều cách, mất đến nửa năm, và cuối cùng đã thành công trong việc làm cho nó.

Sáu năm trước, các kỹ thuật viên của chúng tôi gặp khó khăn về kỹ thuật với SSiC vì khả năng vỡ.

Thứ nhất, silicon carbide không dẫn điện, do đó không thể sử dụng cắt dây EDM.

Đây là những phương pháp chúng tôi đã thử: